我男朋友的皮肤有时候会出现电，出现的时侯你触碰肌肤就会感觉到电流，麻酥酥的，应该不是静电，每次出现_百度知道有什么可以解释炮姐为什么能输出那么高的电流能量吗？_魔法禁书目录吧_百度贴吧
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有什么可以解释炮姐为什么能输出那么高的电流能量吗？
百思不得其解。能量哪里来的？没去研究一下子吗？ 还有 目前的放电貌似还是宏观嘛！无论是还是铁砂剑。 为何不琢磨一下微观？操纵电子的流动什么的。。。。。。。。。。。。。。 好吧 我承认灵感来自黑之契约者 黑的电击 本质是控制电子流动——然后就是物质转换了！
拿个那么大的炮仗，普攻...
削紫削折纸 ，前几排名...
纯精力炮姐，90庖丁专精...
一看就想带我飞的那种
果真如他所说吗？
听说需要图镇楼，和徒弟...
本炮在风雨大姨妈，没亲...
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超能力了～还去想能量源头干啥
这有什么需要解释的吗
炮姐开发新技能，不朽古雷炮,新型人形暴星炮台
想一下也不行吗？。。。。
应该是aim扩散力场吧...
呵呵~我也只是知道表面上的东西..
呵呵…………我也想
跟魔法的来源相似
角川正版授权,超燃「魔法禁书目录」同名手游制作决定!事前登录,抢先预约首测资格
aim力场是超能力者的“果”魔法的魔力来自信仰？
1.AIM立场是能力者散发出来的无意识力量**。2.魔法不是来自信仰而是来自异世界。
哦 抱歉。。。是这样吗？那么泷壶理后不是多重能力者
蛋疼不？你去研究天使我看看
追踪、更改别人的AIM怎么就变成多重能力者了？
这都超能力了，就不要纠结能量来源了……反正能量不守恒！
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多项选择题触电事故分为电击和电伤，电击是电流直接作用于人体所造成的伤害；电伤是电流转换成热能、机械能等其他形式的能量作用于人体造成的伤害。人触电时，可能同时遭到电击和电伤。电击的主要特征有（）。
A．致命电流小
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反激的励磁电流能量去哪儿了？
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blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 08:14:16 反激拓扑在ON期间 ：励磁电感和原边一起充能 。
在OFF 期间，励磁电流能量去哪儿了？
|YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 08:34:35&到副边了，反激就是通过你所谓的励磁电流储能然后反馈到副边。将反激的变压器想象成一个电感，何来励磁之说？ ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:43:41&变压器的等效模型始终就在那里 ，并不因为拓扑的不同而改变 。
因此 ：反激拓扑中，“变压器” 仍然有励磁电流的 。
只是人们很少谈及 ~ ||eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 09:50:16&你指这个模型还是:
我的理解励磁电感的储能在OFF时传输到副次,与王版的想法一样
||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:58:40&就是图4这个模型呀 。不管是正激拓扑还是反激拓扑，它都用的上 ~ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 11:31:18&就是这个模型1、将漏感忽略，不影响问题本身。2、将副边二极管画上，你分析分析是谁在MOS管关断期间让副边二极管导通的？难道是理想变压器？仍然是励磁电感储存的能量，说白了也就是励磁电流。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:37:41&是谁在MOS管关断期间让副边二极管导通的 ？
我认为是理想变压器初级电流需要转移 （另外，励磁电流能量是很弱的）~ ||eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 12:01:58&我怎么觉得反了啊?励磁的才是主磁通啊,才是能量啊..... ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 12:28:41&呵呵，再想想 。真理越辩越明 ~ ||
蒋江黔离线LV7版主积分：10352|主题：106|帖子：4166积分:10352版主 12:36:01&模型中的理想变压器部份，本身初级电感量是无限大，是不存在励磁能量的
模型中储能的是并在理想变压器初级的励磁电感
一次侧开关管导通，理想变压器次级由于二极管阻断无输出，同时励磁电感储能
一次侧开关管关闭，模型中初级励磁电感磁场能量要辞放，只能通过理想变器把能量“拉”出来
不知道这样描述，楼主明白不 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 12:57:36&有必要说明一下：
励磁电感：指3楼（图四 ）中的 Lm
：指3楼（图四 中理想变压器左侧部分的线圈
我前面几楼的涉及励磁电感和变压器初级，都是指这个定义 。
（BTW ：用在反激拓扑时，3楼（图四）模型的同名端应该倒一下） ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 13:10:43&1、同名端为什么需要反？又没画二极管怎么接的，同名端要结合具体电路才能分析，单纯变压器绕组，怎么画都行。
2、前面蒋工都告诉你了，你再想想吧。
3、励磁电流是很小的？根据你这句话，我觉得你是在按照正激类变压器的应用在分析反激电路，在正激电路中，励磁电流也许只占总电流的很小一部分，但对于反激电路，你所谓的励磁电流就是原边电流。
4、希望你自己对变压器用于正激电路与反激电路的工作状态再深入理解一些，可能更好些。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:26:03&呵呵，关于正激为什么要RCD ，LCD ，ACTIVE CLAMP 。。。来对付 Im ，而反激却通通没有（或者很少见），为什么？正是我本帖的主旨和将要说的 ~
再强调一句 ：变压器的模型不因为拓扑而改变
~ ||出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 13:41:17&看不下去了…楼主再好好看看书吧…
正激和反激的Lm差很大的，反激是要用它来储能的。
副边未导通时，相当于副边开路，等效到原边就是个无穷大阻抗，也相当于开路，U=Lm di/dt，对Lm进行储能，这里的U是输入电压。当副边导通时，输出电压通过变压器对原边钳位，也就是对Lm进行钳位，这个电压极性是与输入电压相反的，钳位电压=-Lm di/dt，这时前一阶段的能量就从Lm释放到副边。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:58:08&书也是人写的~
初级电感怎么测量的？次级开路 ~
按照你从书上得来知识 ，那么初级电感=Lm
可不可以 ：初级电感=Lm // Lm‘ （Lm’为初级线圈在次级开路的电感）？ ||出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 14:03:14&不太明白你的意思…次级开路测初级电感，是因为开路时相当于Lm并联了一个很大的阻抗…变压器的电感就看做是漏感与Lm的串联，而漏感又比Lm小很多…所以就认为测得就是Lm。
这个模型是Lm与一个理想变压器并联。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:14:09&呵呵，看得出你对变压器的“折算”用的挺熟练 ~
实际上模型Lm与一个“理想” 变压器并联 ，这个变压器并不理想 （这是后话）~ ||
出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 14:18:48&如果你认为这个变压器不理想的话，那就不是上面图4的那个模型了…图4的模型是将变压器的漏感 储能 和变换的功能用集总元件表示的简化模型…
当然，做复杂的模型分析也是可以的。静待楼主高见… ||
eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 14:24:22&你怎么转回去了啊...
理想变压器是不存在Lm的,理想的变压器,原副边电感为无穷大且全耦合...说白了,它就是个变比.
理想变压器也不是一个动态元件,既不耗能也不储能(出去兄说明了),它只是将能量由原边传到副边,传输过程中也只将电压电流按变化作数值变换.所以理想变压器不需要什么励磁电流.
恰好这个模型说明的是: 理想变压器将Lm中的能量按比转化到副边... ||出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 14:10:55&我想我有点儿知道你的意思了…你是把理想变压器也看做电感的组合模型了么？理想变压器既不储能也不耗能，是不能这样等效的…它只是个做代数变化的元件。
这个模型是用来反映储能的等效模型，如果你也这个模型为基础的话…我觉得现有的书和资料讲的还是挺清楚的… ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:18:37&前面我说了，在反激拓扑中，需要将这个变压器的模型的同名端（3楼 四图）中的一个位置颠倒下 。这个时候变压器就不是 “既不储能也不耗能” ~ ||出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 14:22:01&反激变压器的同名端不一定非要颠倒过来…主要要看你副边二极管的接入情况。只要满足 MOS开通时，diode关断就行了…再说一遍…这是个简化的物理模型… 你现在所说的变压器的性质不是这个图4中的理想变压器的性质，而是整个模型组成的二端口的储能性质…… ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:28:46& 是其中的一个 ~ ||
出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 14:29:46&我累了…… ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:35:57& 不管这个 了，先休息 休息
继续提问：
对于正激 ：初级线圈和次级线圈的电流比如何得来？
（请不要用能量守恒这个来解释） ||
lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 15:45:54&前面看得晕晕乎乎的，不知道蓝天兄想的是啥，
以为是要推翻大家的共识呢。
电流变比这个问题以前倒是试着推导过，过程如下（都是最基本的公式），
磁链p/Np=磁链s/Ns
Lp*Ip/Np=Ls*Is/Ns
=&Ip/Is=Np/Ns *Ls/Lp
L=(u0*ur*A*N2)/l 将Np，Ns代入得Lp，Ls，再代入上式，得
Ip/Is=Ns/Np
（L=(u0*ur*A*N2)/l
如果不算是基本公式，也可以先从安培全电流定律推出来）
印象里，赵修科老师的那本书里好像这些问题都有讲。 ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:59:16&呵呵，这回不把变压器看作理想的了？ ||lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 16:10:04&
这就是blueskyy风格。
为什么不直接一点呢？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:17:16&呵呵，我不喜欢一下子就给出结论 ，喜欢一步一步地来 ~
也因为这个，和别人闹过不愉快 ，说我“卖弄” （我卖弄，呵 你给钱呀，晕。）
学习应该是启发的，积极思考，最后前后连贯。 ||
lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 16:29:21&还从来没有过这是“卖弄”的感觉。
只是觉得这样的方式，如果控制不好，就会将讨论变成辩论，
当然，辩论也没什么不好的，只是容易变成辩题不明，胡搅蛮缠的辩论，
所以，有人会觉得“累了”，有人会觉得“晕了”。
后面那一句非常同意，也看得出，蓝天兄一直秉持这样的学习态度。
散文，不是谁都能看得懂的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 17:14:19&这个论坛本来就是交流思想的, 学习方法 ----这是&渔 & ,
通过讨论得到的结果----这是&鱼 &
可是有的人一来就想得到&鱼& , 而又不积极去捕捞, 伺候不好慢了,还骂你讽刺两下,实在感觉不好.
(兄台不要多心,不是说你, 是我以前不愉快时的感受 )
不说了 , 继续讨论 ~ ||
电源人离线LV6高级工程师积分：706|主题：13|帖子：109积分:706LV6高级工程师 18:02:52&这个电流比的公式与反激的电流比能扯得上很大关系吗？个人理解，反激的电流比不是这样去计算的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:07:17&大家的共识本人一直是膜拜的，哪儿敢去推翻 ~
即使将3楼图四的模型中，理想变压器不是理想的，运用时仍然不会产生矛盾~
分析分析（理想变压器不是理想的） ：初级Im 在正激和反激拓扑 Off 时期：运动模态的差别 ？又是如何和初级线圈 电流糅合在一起的？ ||
qq离线LV2本网技师积分：107|主题：0|帖子：5积分:107LV2本网技师 20:40:38&你好，我觉得你这个公式不能用来推倒变压器电流变比的吧 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 15:10:26&前面也告诉你了，如果你将同名端颠倒一下，那么后面标注的正负也要颠倒以下，你觉得这样的模型颠倒前后有区别吗？你在看3楼等效模型的时候，是不是已经将二极管的方向跟位置给糅合在你脑海里了才的出了这样的结论？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:15:38&同名端的问题是我错了 ~
已经知道了 ~ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 15:17:45&你的描述可能有问题，造成别人无法理解你的含义：
1、初级电感=Lm，这个就是在次级开路的时候初级线圈的电感。
2、初级电感=Lm // Lm‘ （Lm’为初级线圈在次级开路的电感）？，这话什么意思？我想这个描述应该跟你想的不是一个意思吧？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:23:07&这个帖或许在更正我的一个坚持多年的错误认识，让我再想想 。
谢谢参与的朋友
eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 15:34:22&2、初级电感=Lm // Lm‘ （Lm’为初级线圈在次级开路的电感）？，
这个Lm' 也没有错,只不过是理想的变压器,Lm'=∝
∴初级电感=Lm // ∝
初级电感=Lm
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 15:36:22&我想你的解释不是楼主的本意。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:54:10&其实，一直以来我并没有将“理想的变压器”看作成理想的，认为有个Lm‘ 。
悲哀的是，这样理解也从没有出现过问题 ~ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 15:04:03&关于正激为什么要RCD ，LCD ，ACTIVE CLAMP 。。。来对付 Im...这句话本身就是错误的。如果你非认为他是正确的，那对于反激电路，副边绕组就是用来对付Im的部分。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:20:22&1.那对于反激电路，副边绕组就是用来对付Im的部分。
-----支持 并认同 ~
2.关于正激为什么要RCD ，LCD ，ACTIVE CLAMP 。。。来对付 Im...这句话本身就是错误的
------不敢苟同斑竹的，昨天无意翻了下阮新波老师的直流软开关的书，虽然不是原话，但阮新波老师就是这个意思 。 ||lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 15:50:22&
王斑竹，出错了.....
这些本来就是释放励磁电流的啊。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 08:39:00&呵呵，其实我早知道错了，我当时一看RCD，脑海里出现的就是尖峰吸收而不是复位，所以就出现了错误的结论。 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 17:14:16&正激为什么要RCD ，LCD ，ACTIVE CLAMP 。。。来对付 Im 这句话，错在何处呢？ ||
ZB3674204离线LV6高级工程师积分：1235|主题：4|帖子：449积分:1235LV6高级工程师 09:27:46&看一下陈为的文章。 ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 10:34:27倒数10&就是传递到副边了吧！ ||
灵溪离线LV1本网技工积分：3|主题：80|帖子：138积分:3LV1本网技工 22:09:37&所谓的反激变压器，其实并非变压器&& 如开关电源设计 第三版72页所述一样。。。。就当两个电感理解便可以了 ||
Coming.Lu在线LV7版主积分：31359|主题：30|帖子：11225积分:31359版主 07:57:27&同意王工说法，反激变压器，实际上就是个多绕组的电感。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:24:19&可否理解成：反激变压器不存在“传统”意义的励磁电感之说 ？ ||
Coming.Lu在线LV7版主积分：31359|主题：30|帖子：11225积分:31359版主 07:51:14&其实也有的，而且这个励磁电感小，电流很大，只是它可以通过次级释放。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:17:24&（避免楼层重叠，另起一层）
1。反激初级电流在OFF 时刻转移到次级，这个共识如何从13楼的分析中体现出来？
（Im在Vos（反射电压）作用下，并不能瞬间突变到零）
2。看看眼前的反激电源的实际变压器部分，结合13楼的分析 如何想象出：初级电流在OFF 时刻的样子？ ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:43:44&先将我的理解写出来，说不定又忘记了 ~
1。变压器是用来即时传递能量的，并没有能量的暂时停留。满足这个特性的才是真正意义的变压器。才具有3楼 4图的等效集总模型 。
2。如果反激的外形象变压器的东西，也用这个模型套，找悲的是自己。反激的“变压器”更本没有励磁电感这一说。其本质是两个“握手”的电感。换路前后安匝不变的原则交换信息。
拍砖吧 ~ ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 09:35:46&1、建议去查查变压器的定义。
2、建议去查查励磁的定义。
3、个人认为，反激的变压器仍可称之为变压器，但由于工作特性不同，该变压器不具有励磁。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 10:12:19&呵呵 ~
帮看下43楼 ：
1。励磁电流在OFF 期间如何流动 ，路径是 ？
2。结合具体的实物变压器，励磁电流在OFF 期间如何流动 ，路径是 ？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 11:09:28&第三绕组复位的变压器励磁电流在MOS管关断期间是如何流动的？也就是原来在主绕组的励磁电流是如何转移到第三绕组去的？将反激的副边当作正激的复位绕组来理解一下。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:36:27&但是，如果按照13楼的分析 。原边的励磁电流Im是在反射电压Vos作用下，逐渐衰减到0
并不是立即转移到副边的 。这个分析和你的见解是不是有点差异？？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 12:34:48&你觉得呢？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:02:28&这是费解的地方 ~
如果按照模型来理解，13楼的分析没有问题，但是解释不通的是：Im衰减的路径在哪里？
有人可能会说：进入理想变压器的初级线圈呀？（我也只能这样来理解）
那么接下来的更加迷茫了：
当你观察反激变压器的实物时，在OFF时段：初级线圈居然有电流在流动（假如CCM模式，按照前面的讨论 励磁电流就是初级电流，Im将不会衰减到0），但又不从Vin 处拉出电流 。迷惑吗？可以想象出这个图象吗 ？问题在哪儿呢？
“出去就不回来”兄台13楼 解释了能量如何的传递，但是没有给出Im衰减的路径在哪里（注意：OFF时段 开关管已经关闭） ||
eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 13:26:34&RCD... ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:40:29&文工，这回是你错了 ~
eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 13:46:24&绕进去了...
出去兄说了能量传递,这不就是你说的&衰减&? ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:54:49&我想知道的是：Im衰减的路径
（哥哥拜托你将55楼的字认真看完好吗~） ||eric.wentx离线LV7版主积分：44163|主题：484|帖子：16938积分:44163版主 14:06:28&磁路耦合---&理想变压器次边---&负载,这样行不? ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:19:02&晕, Im是突然转移的吗 ?
怎么一下子变到次级负载上面?
按照13楼的分析 :来看Lm衰减到0的时间 是多少(便于说明问题 就假设flyback 工作在BCM)
Lm * Im = Vos * (1-D)T
1. 也就是说在(1-D)T时间内, Lm上还有电流 , 而此时的MOS是关闭状态的 . Lm 的电流往哪里走,
2. 假如1.成立 , 实际工作中, 在MOS关闭期间 , 你看到反激的初级线圈有电流流动吗? 如何解释1.
我也累了 . ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 17:02:01&其实我知道你的疑惑，我也有这样的疑惑，但我从第三绕组复位扩展开来理解：你的结论1就是错误的，在1-D的时间内，Lm上是没有电流的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 17:10:52&结论1 是从变压器的模型得出的呀，我敢保证数学公式没有问题，
难道 “久经考验的/ 无比正确的” 变压器 模型有误？（有点胆战心惊了~） ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 17:19:17&也许问题就在于，反激变压器的模型不是那样的 ||
lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 07:59:38&模型没问题，
也许疑惑来自理解的方式吧。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 19:39:40&王斑竹：73楼如是说，是否有问题呢 ？~ ||lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 16:58:44&物理上，大家的理解没有差异。
问题是在模型上，
对于变压器模型，不管是正激还是反激，Im的衰减路径都再Lm上，
与励磁电感并联的理想变压器，正激和反激时的工作都是一样的，电压电流的数值变比，
差别只在于，反激是在截止时，变压器（与LM并联的那个）实现变比。
蓝天，应该可以想通的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 17:06:29&1. 结合3楼的4图 ，兄台能将Lm的电流衰减时的通路画一下吗？？
我的电脑不能上图~
2. 在OFF期间，3楼的4图的 Im是如何存活的 ？ ||
lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 08:33:04& ||
天使之光离线LV6高级工程师积分：885|主题：13|帖子：135积分:885LV6高级工程师 08:49:40&这位兄弟讲的很有道理，赞同 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 19:19:40&谢谢兄弟这么用心 ~
1。这个图也是我们一直以来的理解方式。从你的图中可以发现在OFF ，Lm的电流Im在反射电压Vos作用下，按照衰减速率 =Vos/ Lm的速度逐渐下降。也就是说：Lm的电流并不是瞬间变化到零的，事实上，在反激拓扑中，OFF时刻一来，原边是立即没有电流的，瞬间将电流映射到次边 ，但是：这个物理现象，用这个等效模型是无法揭示出来。
2。事实上，这个变压器的等效模型是从数学等式得来的，是将对应的数学解析式的符号化，所能反映的是各个量的数值之间的约束关系，并不能和真正地反映电流信号和电压信号真正的流向 ，但能给出它们之间的准确约束。这是解析模型和物理模型的本质区别 ~
3。物理模型我们的出结论是：在反激拓扑中，OFF时刻一来，原边是立即没有电流的，瞬间将电流映射到次边 ，这表明：OFF时刻一来：将原边的能量0.5*Lm*Im^2立即由左手（原边）交递到右手（次边），再由右手（次边）缓慢地向输出电容释放。完成左手传递过来的能量释放所花费的时间就是(1-D)T。
4。按照变压器等效模型的出的过程是：初级能量在OFF时刻并不是全部立即转移次级，而是仍然驻留在初级，而是逐渐地衰减并通过“理想变压器”作为渠道，将能量逐渐过渡到次边。过渡的时间也是(1-D)T，传递的大小也是 0.5*Lm*Im^2 。
由此：不同的模型给出了不同的物理过程，但最终的各物理量的数学约束并没有改变。否则，模型就是错误的。模型所能保证就是：各物理量的数学约束必须一样，这是模型是否正确的本质特征。
这个想法，是个人的见解。在发帖时就有，之所以没有立即表达出来，是为了引起大家的广泛讨论 ，以学习众家分析之长 ~ ||出去不回来离线LV2本网技师积分：102|主题：8|帖子：118积分:102LV2本网技师 19:54:47&变压器的模型有很多种…就是为了能描述不同的物理特性…
你对“原边”的理解有些问题…从漏感的左端到MOS的D端才是原端…Lm两端并不是原端 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:08:37&谢谢，是的。实际变压器的等效模型还包含了初级别漏感和次级漏感。
如果从4端口看过去，这些参量要包含进去，以求得精确的端口属性 ~
附加一句：不同的频率段对应不同的数学表达，也就有不同的变压器解析模型~ ||
lastreg离线LV6高级工程师积分：533|主题：18|帖子：200积分:533LV6高级工程师 08:03:54&从73楼所说的看，正如77楼所说，楼主对这个模型的“原边”理解有偏差。
不过没关系，这不影响对变压器在开关电源中运作的理解。
如果不是这样的模型，可能没有这么广泛的适用性。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:07:10&除了漏感，阁下认为偏差在哪儿？ ||晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 20:19:45&对第3、第4表示赞同！
其他的我一下子还没完全理解。
对第4点的【驻留在初级】，我个人觉得也有【驻留在铁芯】的含义。
同一个模型图，在不同的工作状况下(这个状况指数学的、逻辑的、物理的、时序的)，其数学解析表达式是不同的，但模型图可以共用。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:29:24&对于第4点，我昨天在纸上画了3楼图4 对应的物理模型（为了分析的简单暂时忽略了初/次级的漏感 ）
拿反激为例 ：
1。在Vin 和 MOS的D 之间画个理想变压器（变压器的次边，接整流二极管、输出电容、负载等）
2。在Vin 和 MOS的D 在画个圆环磁心的电感Lm（和上面理想变压器的初级并联）
完成1。2。晶斑竹再用这个模型分析反激电路的工作过程 ~
晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 20:53:25&3楼的图4完全可用于反激动态工作工程分析的！只要注意副边的电流方向即可。
我长话短说：原边ON时，VE对Lm励磁（与正激不同，此时漏感对Ip影响很小），经过Ton后，Ip增大到Ipmax，完成对磁芯的励磁，接下去原边开关管关断，Toff时期，磁芯中的能量耦合到副边输出，磁芯在Toff内逐渐完成励磁复位，在Toff期间，原边漏感能量通过原边RCD释放，耦合到副边的能量则通过二极管对C充电.....当然对于DCM、CCM只是电流大小与持续时间上的区别，工作过程基本一样。
Ton是原边励磁时期，Toff是副边励磁复位时期。 ||
qq离线LV2本网技师积分：107|主题：0|帖子：5积分:107LV2本网技师 21:42:13&你好，在Toff期间，是不是原边RCD吸收的能量=原边漏感能量+少量磁心能量 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 20:28:43&回复下73楼，顺带说下85楼里的分析，时序上是有问题的。
如果考虑到变压器的漏感，所有模型的电路转换都不是瞬时的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 21:06:32&的确是这样的~ ||
电源人离线LV6高级工程师积分：706|主题：13|帖子：109积分:706LV6高级工程师 18:24:56&能量不是存储在线圈中，而是在磁场中。副边的线圈也是处于磁场当中，它自然能通过副边的线圈重新转换成电能的形式释放出去。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 18:49:06&谢谢~
灵溪离线LV1本网技工积分：3|主题：80|帖子：138积分:3LV1本网技工 22:46:46&这个才是正解 ||
晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 22:41:01&
也许这个对您有所帮助。 ||晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 22:50:18&如硬性地要找出反激中的“励磁电流”，我觉得可以把铁芯的涡流、磁滞损耗、以及绕组
分布参数引起的总的【损耗电流】，牵强的理解为【励磁电流】。......当然这个只是比喻说笑而已。
没有这些【损耗电流】的参与，【磁场】是激励不起来的，而且这种电流是不会“跑”到副边去的。 ||
天使之光离线LV6高级工程师积分：885|主题：13|帖子：135积分:885LV6高级工程师 15:12:12&同意这个说法，反激的原边励磁其实和一般的电感励磁一样，on时充电励磁，off时复位，on时的励磁电流在线性上升，off时，在反射电压-Vin电压下复位达到磁伏秒平衡，励磁电流就是为了建立磁场的电流，反激电路的气隙很大，建立磁场很难，因为气隙磁阻大得很，所以励磁电流很大，这个就是原边电流，也就是原边储能，反激就是加大磁阻而加大原边励磁储能，至于off时的励磁电流，在off时刻能量被换到副边了，原边只有漏感能量，复位在副边使用输出电压clamp完成复位，我觉得励磁能量都到负载和电容上去了。 ||天使之光离线LV6高级工程师积分：885|主题：13|帖子：135积分:885LV6高级工程师 14:57:16&看了这么长的贴子，我的个人意见如下：
对于反激拓扑而言：
它是一个储能电感，既然是电感的话，因为在on期间，因为副边二极管反偏，相当于开路，原边励磁，即充电储能，其励磁能量就存在原边绕组中，是on期间的所有PVin能量，在off时刻，大部分能量被换流到了副边，原边励磁电流将Vds充电到反射平台电压，留在原边的漏感能量继续充电到clamp电路导通，此时根据同名端的极性和电压耦合关系，副边二极管正偏，输出电压对变压器磁通进行复位，把能量释放到副边的负载和电容上。
对于励磁电流，我的理解是，在原边储能过程，励磁电流一定是在线性上升，在Vds充电生涯到反射平台过程，励磁电流基本不变，因为是瞬态过程很快，然后变压器的电压就反向clamp了，这时若是CCM状态，则励磁电流在副边输出电压+二级管电压作用下，降低到原始基点，完成一个励磁及复位周期，这个过程是磁化曲线工作在第一象限，单边复位。 ||晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 19:29:12& ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 19:36:56&请晶斑竹帮点评下73楼 ~
leeliang2001离线LV6高级工程师积分：542|主题：8|帖子：139积分:542LV6高级工程师 08:23:58&我一直的认识是励磁电流只是空载时，原边的电流就是励磁电流，励磁电流的能量是不会传到副边去的。难道一直是错误的认识？得再学习学习 ||
leesirleesir离线LV3助理工程师积分：314|主题：16|帖子：193积分:314LV3助理工程师 00:39:28&能量不是存在原边，而是存在磁芯，是以磁通的形式存在，次能导通时，磁通不能突变，瞬间对次级释放，完成去磁的。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 08:23:45&瞬间对次级释放? ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:04:09&支持 ~ ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 09:05:36& ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:11:17&是这样的，不同的模型能给出不同的分析过程 。
85楼的分析从实际物理模型，完全正确 ~
（将3楼图四 ：解析模型 ，为了区别 以后我就这样说了。） ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 09:09:40&为什么老改来改去呢？让别人摸不着头脑，即使想改也不用将原来的删了吧？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 09:12:44&好的，下次注意。 ||
qq离线LV2本网技师积分：107|主题：0|帖子：5积分:107LV2本网技师 22:00:21&你好，请问瞬间释放到次级，放多少呢，为什么要放完呢，放一部分行吗 ||
zhuxiaoxiao离线LV4初级工程师积分：321|主题：16|帖子：82积分:321LV4初级工程师 12:01:44&留个记号 ||
cardiopathy离线LV8副总工程师积分：3395|主题：3|帖子：1482积分:3395LV8副总工程师 08:29:03& ||smithhu离线LV6高级工程师积分：1040|主题：4|帖子：154积分:1040LV6高级工程师 15:41:35&变压器储能就是靠励磁电感，在正激电路中，变压器只是作为一个传递能量的作用，在反激电路中，变压器则作为一个储能元件，没有什么励磁电感和原边一起充能的说法啦 ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 15:42:29&同意 ~ ||
slacker离线LV2本网技师积分：172|主题：1|帖子：21积分:172LV2本网技师 11:56:45&赞同。 ||
dog72离线LV6高级工程师积分：1632|主题：17|帖子：1220积分:1632LV6高级工程师 14:10:46&个人感觉这个理解混淆了基本概念。
开关电源其实只有两种基本拓扑buck和boost，其区别在于电感连续向负载供电还是断续的。变压器是一个等功率变换器件，他插入到电感与负载之间，可以在功率不变的前提下改变电流和电压（但电流和电压的乘积不变）。
反激，实际上可以等效为电感后面、开关管两端并联了一个理想变压器，不应该用非理想变压器的等效模型来分析（当然那么分析也没错，只不过要考虑什么励磁电流比较麻烦）。 ||
小法离线LV8副总工程师积分：2746|主题：31|帖子：1496积分:2746LV8副总工程师 20:45:29&都把反激玩得这么精通，膜拜！~~ ||zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 18:53:55&OFF期间，励磁电流的能量，绝大部分传送给副边了。
很少一部分消耗在嵌位电路中了，消耗的多少，跟嵌位电压有关，一般来说，嵌位电压越大，消耗的越少。还有很少一部分，消耗在mos的输出电容上了。
个人观点。 ||
kob1981520离线LV3助理工程师积分：393|主题：1|帖子：200积分:393LV3助理工程师 23:01:48& ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 08:08:44&同意，这些发生交越期间 ，再复杂地考虑过程，直接让人泄气 ~ ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 10:42:16&事实上这些交越过程也不是很复杂，做做仿真，实际多测波形，很容易理解的。
1、MOS关断后，漏感Lk和励磁电感Lm对MOS的输出电容Coss充电，变压器分布电容放电。这个过程其实是个谐振，只是初始电流较大，类似于线性充电。直到D端电压升到Vin+N*Vo，在此点，变压器初次级均被嵌位，初级为N*VO，也就是反射电压。次级电压为Vo（忽略二极管压降）。次级二极管从负偏转向正偏，次级电流从零开始增长。
2、D极电压继续增长，直到Vin+Vclamp（钳位电压），这时候嵌位电路发生作用。加在漏感两端的电压即为Vclamp-N*Vo，这个电压也是漏感的复位电压，正是这个电压，让漏感电流衰减到零。
3、次级电流遵循的公式是 Is（次级）=【Ip（初级）-I（漏感）】*Np/Ns。当漏感电流到零的时候，次级电流达到其峰值。不难理解，加在漏感两端的电压越高，漏感电流衰减的越快，次级能得到的峰值也越大，效率越高。
大致想起来这么多，这个过程也就这么点时序。
有些电流波形，从实际电路中观察到是很难的，但通过仿真，可以看得很清楚。
比如初级漏感电流和初级励磁电感的电流，在次级电流从零增长的那个时间点，已经分道扬镳了，不是同一个电流了。但实际电路中，这两个电感是串联的，观察到的电流也是一样大小的。 ||zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 10:51:46&再进一步拓展开来想。说说开关电源的定义。
首先是器件工作在开关状态，比如BJT，IGBT或者MOS。
其次是输出电压要是某个变量的单调函数，递增也罢，递减也罢。这个变量如果是占空比D，就是PWM控制方式，如果是频率F，就是PFM控制方式。
有这两个条件，就可以组成开关电源了。
像里面的电感、电容、变压器之类的东西，统统都是一种手段。
对电感和变压器来说，最重要的就是复位，励磁-去磁，对所有的拓扑来说都是成立的，具体来说，就是伏秒平衡。
只要能保证磁芯能复位，而且保证效率，采用任何方式都行。比如RCD，LCD、RC、有源嵌位，对正激和反激都是通用的。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:12:08&兄台真是学通了 ~
做学问就是要这样：反复思考 、比照、总结 。最后都触类旁通 ~ ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:09:02&有一个细节的地方，我和兄台理解的不一致，请指教 ~
1。结合变压器的模型图来看，励磁电感和漏感是串联的。因此，Ip（初级）=I（漏感）
在励磁电感两端的电压Vmag 小于Vo（匝比1：1，且忽略整流 Vdiod）前，泄磁没有开始。
励磁电感和漏感兄弟俩手牵手向 ：候嵌位电路，MOS的输出电容Coss 充电 ，直到：励磁电感两端的电压Vmag = Vo ，励磁电感的电流被抽到次级，此时：励磁电感处嵌位成电压源Vos 。漏感孤身一人+ 反射的Vos电压源：继续向 候嵌位电路，MOS的输出电容Coss 充电 ，直到自己能量衰竭 =0 。
2。如果嵌位电路电压越高：励磁电感两端的电压Vmag 到达 Vo 时间就越短，励磁电流损失的就越小，传递到次级的能量就越多 。（次级的能量本质是初级励磁能量的转移） ||zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 11:17:20&你这贴的说法，本身已经在自相矛盾了。在Vmag小于Vo之前，泄磁还没开始，嵌位电路还不会起到作用，何来励磁电流的损失。
在Vmag达到Vo之前，励磁电流的损失，主要是对MOS的Coss充电，这点损失是很小很小的。
有一点很重要，一定是要D极电压先达到反射电压Vor，也就是次级二极管要先导通，嵌位电路才能起作用。否则的话，嵌位电路优先于次级二极管起作用，嵌位电路就作为变压器的死负载了，次级一点能量也得不到。 ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:28:14&不好意思，没有说清楚，让你产生误解 。
<font color="#. 泄磁还没开始 ：次级没有电流建立，并通过整流二极管开始衰减 ~
<font color="#. 次级二极管要先导通，嵌位电路才能起作用 ：不是很理解这段话，RCD 嵌位电路是并联在：Lm+Lk两端的 。另外，Vds和VLm不是一回事情，中间隔了 漏感电压VLk ~ ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 11:36:12&这有什么不很理解的呢？
举个例子，如果嵌位电路是一个TVS加一个二极管，可以等效成一个电压源。
输出电压为100V，变比为1:1，这时候的反射电压应为100V。
而TVS管的击穿电压为90V。
MOS关断之后，漏极电压是近似线性上升的，变压器初级电压也是逐步从上正下负，变为上负下正的。
当变压器电压变为上负下正90V的时候，嵌位电路发生了作用，就把变压器初级电压钳在了90V，也就永远达不到100V了。而达不到100V，次级二极管就永远会反偏，次级也就得不到能量。
也就是说：变压器初级要先达到反射电压，让次级得到能量。
一般来说，嵌位电压要在Vor的3倍左右。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 11:49:06&个人觉得你的描述存在两个不清楚的地方
1、嵌位电压低于反射电压并不一定会导致没有输出，只是在MOS管关断后，原边励磁储存的能量（这个能量是原本需要传递到副边输出的）首先要跟漏感能量一起，将嵌位电容上电压充到反射电压，副边二极管开始导通，这个虽然损耗了应该传递到副边的能量，但对于尖峰吸收会更好，因此这个有一个最优设计。（你举的以TVS吸收的例子是对的）
2、嵌位电压要在反射电压的3倍，这个不知道如何而来，对于一个正常交流输入的电源，整流后最高电压按照400V，反射电压100V那么按照这个选择，700V管子将不是最优选择。 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 12:23:10&我理解你的意思。
嵌位电压一定要高于反射电压，这点，你同意吗？
1、MOS关断后，D极电压从0开始上升（忽略导通压降），要先经历Vin+N*VO，然后才能到达Vin+Vclamp。而在达到前者的时候，次级二极管开始导通，所以我说，次级二极管导通要优先于嵌位电路起作用。否则的话，假设嵌位电路是个TVS，就可以等效成一个恒压源。这时候变压器初级，就被钳位在VIn+N*Vo之前，次级始终得不到能量。再比如，嵌位电路是个RCD，C上的电压在MOS导通器件，已经衰减到N*Vor以下。励磁电流要先把C充电到N*Vo，才能使次级二极管导通，效率也就不高了。
2、工频输入的话，王工常取哪个量级的管子呢？用到过1000V吗？如果嵌位电压越低，RCD消耗的励磁能量会越多，效率也就会越低。反之，嵌位电压越高，对管子的耐压要求越高。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 12:33:48&1、C上电压衰减到反射电压以下的话，RCD吸收会损耗应该传递到副边的能量。这个没问题，但我的意思是，这样会降低MOS管尖峰，因此是一个统筹选择的问题，否则我们加RCD干吗？
2、工频输入我用700V管子。为什么说嵌位电压越低RCD消耗的能量就越多？只要嵌位电压高于反射电压不就可以了吗？对于你106贴第三条的看法，有暂时不能赞同，别的都赞同。这个问题不讨论了。我有空再想想。 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 12:47:42&关于嵌位电压越低消耗能量越多的问题。
因为嵌位电压跟反射电压的差值，即为漏感的复位电压。这个差值越小，漏感复位的时间就越长。
记得以前有个帖子讨论过，反射电压做功与否的问题。结论是，反射电压做功，做功的多少，就跟漏感电流的复位时间有关，时间越长，做功越多。
106贴第三条，王工是认为我说的不对，还是没想清楚到底对不对，请指教。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 12:56:19&没想清楚 ||
inocencelove在线LV8副总工程师积分：2048|主题：60|帖子：870积分:2048LV8副总工程师 23:38:36&之前见过一种说法&&& 是&& 反射电压只是表示初级电感和次级电感的比例关系也就是数学关系&&&&&&& 其实 开关管关断时初级线圈自身会产生反向电压 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 11:23:37&一旦嵌位电路起作用，比如RCD，TVS，一定是次级二极管已经导通了。
这里的嵌位，是针对MOS漏极的嵌位，让其不高于VDSS，用来消耗漏感能量。
而变压器初级的嵌位，一定要优先于MOS漏极的嵌位，它是通过次级二极管来钳位在N*VO的，一旦钳不住，只能是Vo发生了改变，不稳压了，这时候反馈环就要起作用，让它来钳住。 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 11:29:31&再进一步讲，如果变压器没有漏感，这时候的嵌位电路都可以省掉了。
再或者漏感的能量全部转移到寄生电容上之后，电容电压在MOS的击穿电压之内，嵌位电路也是可以省掉的。一些低成本小功率的电源，很多都是这么搞的。因为嵌位电路对效率没有贡献，还增加成本。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:41:00&一旦嵌位电路起作用，比如RCD，TVS，一定是次级二极管已经导通了 。
我的看法是：
RCD 嵌位电路是并联在：Lm+Lk两端的 。Vds和VLm不是一回事情，中间隔了 漏感电压
VLk ，只有VLm大于Vo （假设同前），才开启励磁电流从初级转移到次级的过程 。
也就是说：在OFF开始时刻，极短的时间内 初级 Imag 先要流向嵌位网络 ，
直到：VLm= （V RCD嵌位- VLK ）大于Vo 。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:45:36&也就是说：
嵌位电路起作用（比如RCD，TVS），次级二极管不一定已经导通了 。 ||
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 12:27:13&我知道问题出在哪里了。
你的理解是，RCD铅位电路C上的电压，在MOS导通期间，衰减到Vor以下了。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:08:53&嵌位电压一定要高于反射电压 , 否则就是过吸收了 ~
从我的发言中，你怎么得出这样的看法：在MOS导通期间，衰减到Vor以下了。？？ ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:36:59&呵呵，明白了你的问题 。
嵌位电压大于反射电压 （这是必须的）
既然嵌位电压开始工作：说明，必定有经过“反射电压“的位置 ，因此，次级总是先于嵌位
网络工作。再体会下公式 （并画图）：V RCD嵌位= VLm +VLK
VLm大于“反射电压&:
VLm小于“反射电压&:
次级不工作
在断开的时间里：嵌位电压有可能让漏感全部承担，而让次级不工作。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:21:33&V RCD嵌位= VLm +VLK
但是，再细想了一下
VLm : VLK = Lm : Lk （这个式子一得出，俺知道俺的错误了，嘿嘿） ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:08:28&再思考下，接受你的观点了：嵌位网络工作了 ，次级就一定工作了 。
我的分析有问题（脑袋晕晕的） ，太定性了 ~
剩下：125楼的疑问了 ~
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 13:52:56&次级电流遵循的公式是 Is（次级）=【Ip（初级）-I（漏感）】*Np/Ns
对这个公式不理解 ，反激中 ：
Ip（初级）和 I（漏感）不是串联，相等的吗？ ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 15:52:54&又见关于反激的热烈讨论
这时电感只有一个Lm，无所谓Lp和Ls，
所以电流只有一个Imag，无所谓Ip和Is。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:06:06&支持大师的观点~
这时电感只有一个Lm ，观察变压器的的模型（3楼 图四），
从变压器初级看过去 总的励磁电感：
L = Lm // L理变 = （ Lm * L理变）/ （Lm + L理变）=Lm （完全类似电阻并联）
在我前面的帖子（“理想变压器的初级励磁电感是多少”），就是因为这个帖子有感而发的（嘿嘿）。 ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 16:28:05&Imag分两路，一路是Ip，一路是Is，（假设匝比=1）
即 Imag = Ip + Is
所以125楼的式子应该是
Is = Imag - Ip
Is = Imag - Ilk
(因为后者就是流出原边的电流) ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:37:33&呵呵，也只能这样理解了 ~
其中一路，就是次级线圈电流 “阶梯”的起点 。
（有感：任何简单的问题，分析起来都不简单 。哈哈） ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 16:47:18&阶梯 ？ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:52:04&在CCM 下，次级的电流是梯形的 。起步时刻有个“阶跃”的台阶。
如果时间轴放大这个台阶，并不是从0斜坡上升到“台阶”。而是从你分的Is处，上升到台阶。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:54:56&次级电流从Is处上升到台阶的 过程，就是初级漏感（Ip=ILK)被吸收完毕的过程 ~ ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 17:19:55&开始时，Ilk=Imag
Is = Imag - Ilk
所以Is是从0向上升到顶点的。（这里已假设副边没有漏感了，有的话就更加是从0开始了）。 ||zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 17:44:03&我觉得这种说法有点欠妥。
Imag这里应该是初级电流。称它为励磁电流，有点欠妥。 ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 23:34:27&等效图，没画上原边的RCD，和副边的---也是RCD哦。
||晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 00:25:24&greendot 老师：用此图分析反激，隐约觉得带有某些不妥... ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 13:43:19&不妥之处，还请晶老师指教。
这只是用来分析OFF期间，励磁电流的走向，其中忽略了Coss和寄生电容的影响，
变压器可以看做是匝比=1，或Lk2是折算到原边的值都可以。 ||
晶纲禅诗离线LV7版主积分：15474|主题：219|帖子：6463积分:15474版主 14:21:58&greendot 老师太客气了，指教是远远不敢当的。
我谈一下自己的看法：对于原副边折算是没有异议的，只是感觉对于反激而言，Ton期间的漏感与Toff期间的漏感，这两个【漏感】在性质上应该会有区别，在Toff期间，这时的【漏感】是Np不能耦合到Ns的漏感，这个漏感储能由原边RCD消耗并箝位；在Ton期间，这时的【漏感】是否仅仅只是Np的自感漏感.....？我也只是推测，也正在疑惑之中..... ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 16:14:15&对的，我也一直有这想法，
一般简单的认为，Np和Ns各自的'自感漏感'是独立的，互不交联，Np不能耦合到Ns的漏感就是它们的和（折算后)，如 Lk = Lk1+n2*Lk2，
实际上当Np和Ns都有电流时，Lk1和Lk2之间是有互感的，真实的Lk应该小一点。
所以反激Ton和Toff期间的Lk1是有点分别的，不过一般分析，就不这么深入了，
如果真的要考究，也许可以用Maxwell 3D来仿真变压器，+ Simplorer 来仿真power electronics，看个大概，或者写个变压器model/sub-circuit，在Saber/Pspice里仿真一下亦可。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 08:21:56&如果匝数比不是等于1 ，这个等效图该怎么“画”呢？
zkybuaa离线LV8副总工程师积分：5122|主题：50|帖子：3879积分:5122LV8副总工程师 12:29:09&那就存在两个电流回路了吧。 ||
greendot离线LV10总工程师积分：15647|主题：0|帖子：4712积分:15647LV10总工程师 14:42:59&把Lk2画成n2*Lk2，Is=&Is/n，等等
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 19:46:27&谢谢大师，将您的图画出来 ~
thx离线LV6高级工程师积分：733|主题：15|帖子：235积分:733LV6高级工程师 16:58:03倒数9&蓝天兄， 一原2副， 匝数分别为Np Ns1 Ns2呢 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:26:43&对的，应该是你说的这样 ~ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:44:41&
不愧为大师 ~ ||
kob1981520离线LV3助理工程师积分：393|主题：1|帖子：200积分:393LV3助理工程师 22:14:35&好好学习一下 ||
hao2834199离线LV2本网技师积分：174|主题：8|帖子：98积分:174LV2本网技师 17:09:54&看的头晕眼花，但绝对经典至极！ ||玉兔昇离线LV3助理工程师积分：375|主题：18|帖子：639积分:375LV3助理工程师 18:55:53&啊呀！有点精彩纷呈。开始还有点而明白，后来把王斑竹也绕进去了，我也迷糊了。 ||
humphery离线LV6高级工程师积分：549|主题：20|帖子：179积分:549LV6高级工程师 23:57:12&这个应该仔细学习一下。。 ||
灵溪离线LV1本网技工积分：3|主题：80|帖子：138积分:3LV1本网技工 11:38:05&先收藏上。。。 ||
daxia4540827离线LV10总工程师积分：12365|主题：190|帖子：5821积分:12365LV10总工程师 23:27:14&传递到副边了！ ||
zyx999离线LV3助理工程师积分：219|主题：13|帖子：161积分:219LV3助理工程师 09:48:20&学习了，这个帖子看明白不少问题，谢谢大家！ ||ht_离线LV10总工程师积分：17039|主题：131|帖子：8070积分:17039LV10总工程师 23:06:36&经典的帖子，收藏了。。。 ||
cuncaosheng离线LV6高级工程师积分：1142|主题：18|帖子：422积分:1142LV6高级工程师 12:42:50倒数8&学习了 ||
lzlrobert离线LV8副总工程师积分：2440|主题：150|帖子：792积分:2440LV8副总工程师 13:58:15倒数7&我虽然知道怎么用，但是模型还是不太清楚 ||
子牛离线LV1本网技工积分：73|主题：3|帖子：12积分:73LV1本网技工 21:33:41倒数6&求罩
小胜离线LV6高级工程师积分：843|主题：2|帖子：143积分:843LV6高级工程师 09:13:47倒数5&这个一定要分析它的回路问题，这样你才能知道他的电流去哪里了
||小沈离线LV3助理工程师积分：296|主题：0|帖子：25积分:296LV3助理工程师 11:23:06倒数4&电流经过你的缓冲电路回到了你的电源处
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91155|主题：134|帖子：41662积分:91155版主 12:38:12倒数3&呵呵，先不说你说的对错，你自己能画出来这个流动的回路？
duplicate离线LV4初级工程师积分：376|主题：18|帖子：86积分:376LV4初级工程师 17:14:47倒数2&上传同类资料，下载的记得帮忙留言！
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厚劲薄发离线LV6高级工程师积分：1214|主题：75|帖子：435积分:1214LV6高级工程师最新回复 13:54:31倒数1&经典贴，驻足学习。
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