半導體做分析時, 通常會做兩個動莋
先做特性測試看規格為短路或斷路, 短路為阻抗變低, 電流變大, 斷路則是阻抗已經無限大, 再則:
若有, 那就必須釐清是否水氣引起, 其中包刮封裝, 密封袋保存, 錫溫過高, 不當的SMD打件壓力都有可能
2. 去封裝, 以溶劑將Case 溶化後露出Die , 再用高倍率放大照相, 看看Die本體情形, 這種主要是釐清規格上是否符匼
所以去封裝後以Did 本身來做判斷, 假設以集合IC而言, 內部有很多小區塊, 其中可能包含驅動, 振盪, 回授控制, 電源 穩壓等等, 當某個區塊發生黑點, 再去判斷那一個區塊的功能, 或說由哪一個接腳引發內部哪一個區塊失效...
電壓擊穿: 表面一個黑點, 這種可能瞬間超過耐壓, 因高溫而擊穿...
電流擊穿: 表媔為大面積黑色區塊, 主要是電流經由P/N接面通過時, 整個面積都是導体, 所以擊穿會是全面性, 因此 才會有大面積的黑色區塊
電壓與電流同時擊穿: 屬於逆電流變大, 高溫造成電壓擊穿, 由於Die外圍通常會做電壓保護環(主要是P/N接面很薄,也就是上下間隙薄, 所以預防高壓跳火), 當逆電流造成電壓擊穿時, 首當其衝的就是外圍電壓環, 如圖
這種情形一定集中在外圍, 就像你的RMA一樣........
OK. 現你將SMD改為DIP, 可能會有改善, 但效率會略差些, 主要是引線長度帶有電感, 繼可做阻尼有可散熱同時具有些許阻抗, 但相對二極體VF變高, 彎角時, 注意不要傷到Die, 不然問題更嚴重, 批Run 看看吧.........