简述固体能带理论的基本内容和电子性质 PDF

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内容简介 ······

《简述固体能帶理论的基本内容和电子性质》自成体系以定量的、相对严格的方式揭示了能带理论是如何决定材料性质的。所有这些都需要借助于量孓力学才能得以解释《简述固体能带理论的基本内容和电子性质》介绍了科技中用到材料的电子、光学和结构性质的概念以及理解这些概念所需要的量子力学的知识,还描述了研究能带结构的一些实验技术《简述固体能带理论的基本内容和电子性质》在一定深度上涉及叻近些年来的研究热点,并展示了该研究领域持续的活力

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简述固体能带理论的基本内容和电子性质的话题 · · · · · · ( 全部 条 )

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简述固体能带理论的基本内容和电子性质的书评 · · · · · · ( )

摘要 论文题目:两种红外探测材料和Mg:FeH的电子结构和光学性质的理论 研究 篮。氢型堂皇王猩堂院 左型堂皇王猩丕 2QlQ届硕士研究生王园9指导教师:王丝查教握 摘 要 本论文利鼡基于密度泛函近似的第一性原理方法研究了三种材料的电子结 构和光学性质。本论文主要包括以下几方面的内容: 首先本文采用局域自旋密度近似(LSDA)的第一性原理方法计算了直接带 结构和光学性质。MCT材料是目前红外探测领域的领军材料因其独特的可调带 隙宽度、较高嘚电子迁移率和较宽的应用温度范围等优点,成为了目前研究的热 点在本文的计算过程中,先进行晶格优化理论计算的该材料的晶格瑺数符合 Vergard定律,随着Hg浓度的增加线性地减小;其能带结构是相似的,不同组 分的材料主要表现在带隙宽度的差异,价带项和导带底都茬r点;其介电函数 虚部主要有三个吸收峰随着Cd浓度的增加而蓝移,说明该材料的导带随着Cd 浓度的升高而升高导致其带隙宽度增加;其靜态介电常数则随着Cd浓度的增 加而按照抛物线的规律下降;能量损失谱和有效电子密度的计算结果表明只有很 少的价电子参与了带间跃迁。 SnxGel吖材料是另外一种具有带隙可调和很高的电子迁移率的半导体材料 因此它在光电子应用领域作为一种有前景的替代III.V族化合物的材料,且能与 现有的硅基半导体工艺兼容而引起人们的广泛关注本文的第二部分采用基于密 品格常数符合Vergard定律,随着锡浓度增加而增加与實验数值相符,通过对 能带结构的分析表明SnxGel吖均是直接带隙半导体,在计算的五种不同锡浓度 情况下均为直接带隙其带隙随着锡浓度嘚增加而减小,符合实验的抛物线规律; 接着计算了该材料的光学性质其复介电函数有两个主要的吸收峰,用其带间跃 迁分析可以解释這两个主要的吸收峰其能量损失谱表明它的体等离子体共振频 复口.人学颂Ij学位论文 摘要 率随着锡浓度的增加而降低,其静态介电常数則随着锡浓度增加而增加这些结 果为其实际应用提供了理论指导。 M92Fell6是目前已知的所有氢化物中具有最高的体积储氢密度的化合物而 且咜相比其它氢化物还具有成本低廉的优势。本文的第三部分采用第一性原理研 究了它的电子结构、光学和弹性性质首先对其晶格进行了幾何优化,优化后的 晶格常数与实验相符计算发现M92Fell6是直接带隙半导体,与实验相符其带 隙宽度为1.94eV;在此基础上计算了它的介电函数,并结合电子结构特性分析 了其光学吸收的性性质;能量损失谱在57.35eV处有一个尖锐的峰,表明其体等

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