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HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究--《半导体技术》2010年12期
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
【摘要】:为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
【作者单位】:
【关键词】:
【基金】:
【分类号】:TN386.1【正文快照】:
0引言由于Ge的电子和空穴的迁移率均比Si的高,因而期望Ge MOSFET具有更高电流驱动能力和更快的开关速度[1-3]。但Ge的氧化物具有热不稳定性和溶于水的特性,难以形成高性能的器件,因此利用高k栅介质制备Ge MOSFETs成为当前研究的热点。但面临的问题是高k介质材料与Ge基底之间
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邹晓;蒋万翔;徐静平;;[J];半导体技术;2009年06期
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