右手中指弯曲被锈钉扎了，貌似挺深。简单涂了药水，N天后外部结痂，中指弯曲依然肿涨不能弯曲。请问该怎么处理？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2012-01-25 13:18 标签： 中指弯曲
畴壁的钉扎与矫顽力--《仪表材料》1980年03期
畴壁的钉扎与矫顽力
【摘要】：铁磁体内的参杂对畴壁有钉扎效应;在以3d过渡族金属为基的金属磁性材料中参杂对畴壁的钉扎效应小;自60年代末以后发现R-Co永磁体的反磁化不符合Stoner的单畴体一致转动模型,它的反磁化是壁移过程,并且第二相对畴壁有较强的钉扎作用;由于R-Co永磁体的畴壁能密度高、畴壁厚度窄,钉扎场可以达到10~4Oe的数量级;R-Co永磁体中的参杂,第二相,点、线、面缺陷都可能对畴壁起钉扎作用;简要地介绍了棒状第二相,胞状结构,点状第二相与缺陷对畴壁的钉扎和矫顽力的计算。
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
一、引言 早在本世纪的三、四十年代就已认识到铁磁沐内部的非磁性或弱磁性的第二相或参杂或一不均匀内应力对畴壁有钉扎效应。设铁磁体i匆的非磁性的第二相为球状,半径为r。如畴壁不在第二相质点处,如图1(a),则在第二相质点处会出现磁极,它的退磁场能为‘,.les.坛(a)叹b) 图1
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【引证文献】
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朱光渠;;[J];仪表材料;1987年05期
中国硕士学位论文全文数据库
商显栋;[D];山东大学;2014年
【同被引文献】
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王子孝,桂嘉年,王少阶,郁伟中;[J];核技术;1982年06期
彭郁卿,郑万辉,朱家璧,王景成;[J];核技术;1982年06期
周寿增;;[J];仪表材料;1980年03期
【二级引证文献】
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孙燕华;[D];山东大学;2016年
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周寿增;;[J];仪表材料;1980年03期
唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富;[J];河北师范大学学报;1994年03期
余晋岳,宋柏泉,周勇,蔡炳初;[J];上海交通大学学报;1996年07期
;[J];;年期
中国博士学位论文全文数据库
郭革新;[D];河北工业大学;2004年
熊二刚;[D];西安建筑科技大学;2007年
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韩召艳;[D];扬州大学;2015年
范吕超;[D];扬州大学;2016年
李华兵;[D];青岛大学;2016年
王烨丽;[D];扬州大学;2012年
刘素平;[D];河北师范大学;2004年
王丽娜;[D];河北师范大学;2006年
王东升;[D];浙江大学;2014年
香妹;[D];扬州大学;2013年
雷海洋;[D];扬州大学;2014年
刘铁楠;[D];中南大学;2004年
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京公网安备75号关于Ge/GaAs(110)界面的费米能级钉扎--《半导体学报》1988年01期
关于Ge/GaAs(110)界面的费米能级钉扎
【摘要】：采用饱和的平板模型及半经验的紧束缚方法计算了吸附Ge原子的GaAs(110)表面在不同覆盖度情况下的电子态密度.结合以前对Ge/GaAs(110)界面系统电子态的理论与实验研究工作,提出Ge/GaAs(110)界面的费米能级钉扎位置主要决定于GaAs表面层与Ge吸附层之间的电子电荷转移.
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
M如比等山对Ge/GaAs(11的的光电子发射谱及功函数的测量指出,在Ge/GaA。110)异质结的GaAs一方,费米能级钉扎在价带顶上面0.75 eV处,并用Spicer等提出的统一缺陷模型解释了这一现象,认为费米能级钉扎位置决定于吸附层所引起的表面缺陷的电子能级.Bruggor等切对Ge/GaA:(110)进
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【引证文献】
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徐至中;[J];半导体学报;1990年05期
【二级引证文献】
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刘林生;[D];兰州大学;2007年
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阮英超;[J];半导体学报;1981年04期
陈克铭;[J];物理;1982年08期
王宗畔,熊绍珍,孙仲林;[J];半导体光电;1982年02期
李元;[J];半导体光电;1983年03期
,雷启棣;[J];光通信技术;1983年01期
叶良修;[J];物理;1985年08期
潘士宏,Nathan Newman,T.Kendelewicz,W.G.P[J];半导体学报;1985年03期
徐永年,徐建华;[J];半导体学报;1985年03期
徐乐,刘启一;[J];电子与信息学报;1986年03期
徐至中,沈静志;[J];半导体学报;1986年05期
中国重要会议论文全文数据库
龙兴贵;;[A];中国工程物理研究院科技年报（1998）[C];1998年
姜胜林;周东祥;汪小红;龚树萍;;[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
曾葆青;杨中海;;[A];中国电子学会真空电子学分会第十三届学术年会论文集（下）[C];2001年
高一兵;;[A];中国电池工业协会2002年学术交流会论文集[C];2002年
鄂磊;徐明霞;汪成建;;[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
黄寒;毛宏颖;张建华;张寒洁;李海洋;何丕模;鲍世宁;;[A];第四届华东真空科技学术交流展示会学术论文集[C];2003年
吴悦;杨帆;杨新国;张建华;汪茫;李海洋;何丕模;鲍世宁;;[A];第四届华东真空科技学术交流展示会学术论文集[C];2003年
吴悦;庄友谊;张建华;池贤兴;李海洋;何丕模;鲍世宁;;[A];第四届华东真空科技学术交流展示会学术论文集[C];2003年
张艳锋;郭阳;韩铁柱;唐喆;沈全通;贾金锋;薛其坤;邱自强;;[A];中国科协第二届优秀博士生学术年会材料科学技术分会论文集[C];2003年
闵新民;朱磊;邢学玲;;[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库
李书平;[D];厦门大学;2001年
华英杰;[D];大连理工大学;2003年
徐国亮;[D];四川大学;2005年
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张迪;[D];西北大学;2001年
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京公网安备75号磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究--《功能材料与器件学报》2005年02期
磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究
【摘要】：采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TH134【正文快照】：
1前言自从1988年B aibich M.N.首先在F e/C r超晶格中发现了巨磁电阻效应(简称G M R)后,人们纷纷从理论上和应用上对多层膜巨磁电阻效应加以研究犤1犦。1991年D ieny B利用反铁磁层的交换耦合,成功设计出铁磁层/隔离层/铁磁层/反铁磁层的自旋阀(Spin valve)结构,这种结构具有
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【引证文献】
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欧阳可青;[D];清华大学;2005年
【同被引文献】
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都有为;[J];物理;1997年10期
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陈萍;[D];南京理工大学;2007年
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申景霞;亓海全;张利平;;[A];中国金属学会特钢分会，特钢冶炼学术委员会2009年会论文集[C];2009年
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